Uma simples verificação na Wikipédia pode ajudar muito:
The method used to read NAND flash memory can cause other cells near the cell being read to change over time if the surrounding cells of the block are not rewritten. This is generally in the hundreds of thousands of reads without a rewrite of those cells. The error does not appear when reading the original cell, but rather shows up when finally reading one of the surrounding cells.
Então, de fato, a leitura de uma memória flash fará com que ela reescreva alguns blocos de vez em quando. Escrever em uma memória flash acontece em bloco, e cada bloco só pode ser reescrito uma certa quantidade de vezes (o número real difere). Mas, considerando que esse número é bastante alto, o drive gerencia (as correções são uniformemente espalhadas pela unidade, wear leveling ) e somente a cada 100 leitura usa uma escrita, sua unidade provavelmente morrerá de outras razões antes. Ou você simplesmente vai despejá-lo, porque ficou muito pequeno.
Portanto, minha recomendação seria: contanto que a unidade seja rápida o suficiente, use-a em vez do disco rígido, a menos que você queira o filme no disco rígido de qualquer maneira.