TLDR: Os diferentes tipos de drive usam diferentes tipos de NAND. O Force GT deve ser mais rápido que o Force 3, mas o Force GS deve ser mais rápido novamente. Quanta diferença você notará é difícil de dizer.
Consolidando as informações nas outras respostas, parece que os três modelos sutilmente diferentes usam tipos muito diferentes de flash NAND que oferecem alguns pequenos aumentos de desempenho.
De link da WWW
Model Seq. R/W(MB/s) Random 4k Write NAND Type
Force 3 550/520 85K IOPS Asynchronous NAND
Force GT 555/525 85K IOPS Synchronous NAND
Force GS 555/525 90K IOPS Toggle NAND
Análise comparativa dos três tipos de memória Flash parece sugerir o mesmo que acima, que o flash assíncrono é o mais lento, o síncrono é melhor e o modo de alternância NAND é o melhor.
A diferença entre NAND Assíncrono e Síncrono parece ser uma largura de banda melhorada entre o controlador e os chips NAND, conforme HardOCP :
Both flash types use a 25nm die package size. The technical term is ONFi 2.x (synchronous) and ONFi 1.0 (asynchronous). ONFi 2.x uses a central timing circuit and moves data on both the rise and fall of the signal wave. This is similar to double data rate random access memory (DDR RAM). ONFi 2.0 is capable of delivering speeds up to 133MB/s but ONFi 1.0 is limited to just 50MB/s. On paper it sounds like one is twice as fast as the other but due to the total SSD architecture the real world benefit is much less.
A especificação de velocidade "máxima leitura / gravação" parece basear-se em números de desempenho teóricos, enquanto os benchmarks do mundo real mostram uma melhora acentuada na velocidade da NAND Síncrona sobre a NAND Assíncrona.
Alternar NAND é outra nova maneira de lidar com o flash NAND e deve fornecer melhorias novamente sobre as velocidades do NAND Síncrono, conforme
Toshiba offers a full lineup of 32nm DDR Toggle-Mode NAND, in MLC versions with densities of 64Gb1, 128Gb and 256Gb and SLC versions with densities of 32Gb, 64Gb and 128Gb. Toggle-Mode NAND is a DDR NAND solution designed to consume less power than synchronous DDR NAND flash by eliminating the clock signal typically used in synchronous DDR memories.
Toshiba DDR Toggle-Mode 1.0 NAND has a fast interface, rated at 133 megatransfers/second (MT/s), as compared to 40MT/s for legacy SLC single data rate NAN. This makes it suitable for high performance solid state storage applications, including enterprise storage. With an asynchronous interface similar to that used in conventional NAND, the Toggle-Mode DDR Flash NAND requires no clock signal, which means that it uses less power and has a simpler system design when compared to competing synchronous NAND alternatives. The DDR interface in Toggle-Mode NAND uses a Bidirectional DQS to generate input/output signals (I/Os) using the rising and falling edge of the write erase signal.
Fora das publicações técnicas, as distinções reais de cada tipo de flash e como funcionam parecem ser um pouco difíceis de encontrar.